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西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授團隊：寬禁帶半導體器件級熱管理技術的新進展：綜述
本文深入探討了當前技術瓶頸、潛在解決方案及未來發展機遇，旨在突破關鍵散熱技術壁壘，推動寬禁帶與超寬禁帶半導體的深度產業化進程。
2025-07-18 11:28:04
西安理工大學---基于金催化低壓化學氣相沉積法在4H-SiC襯底上合成并表征β-Ga?O?納米線
采用低壓化學氣相沉積（LPCVD）法，以金（Au）為催化劑，在 4H-SiC 襯底上合成了 β-Ga2O3 納米線。
2025-07-18 11:22:56
武漢大學劉勝院士領導的團隊---基于極化和應變驅動的Ga?O?/ZnO異質結光探測器界面性能的理論研究
在本研究中，采用第一性原理計算方法，對 β-Ga2O3/wurtzite ZnO（w-ZnO）異質結的結構和界面電子特性進行了研究，重點探討了 w-ZnO 中自發極化方向和應變對異質結性能的影響。
2025-07-11 11:46:58
松山湖材料實驗室梅增霞研究員團隊---基于Ga?O?/GaN梯度異質結的高性能紫外光探測器
由于帶隙和能帶差異適宜，氧化鎵（Ga2O3）/GaN 異質結構是制造高性能 UV PD 的理想材料。
2025-07-11 11:41:12
FLOSFIA 實現全球首例突破，成功攻克氧化鎵 p 型層技術難題
FLOSFIA 進一步挑戰技術難度更高的 MOSFET 結構的 p 層應用，通過高度改良自有技術，開發出新型 MOS 結構形成工藝，并成功將其集成到器件中。
2025-07-08 17:16:56
南方科技大學于洪宇教授、汪青教授團隊---2.86 kV階梯狀雙層結構的垂直型Cu?O/Ga?O?異質結二極管
TCAD 仿真結果表明，SDL 結構有效抑制了陽極邊緣的峰值電場，并將其轉移至器件內部，從而提升了器件耐壓能力。
2025-07-08 17:03:00
